在晶體管、集成電路生產中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質的好壞與集成電路的產品質量及生產成品率關系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良，重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結耐壓降低，Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化，Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化，水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區域變為N型硅而導致器件性能變壞，水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面，就會引起電路短路或特性變差。集成電路(DRAM)集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路(DRAM)集成度256K的要求是電阻率≥17MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度1M的要求電阻率≥18MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度4M的要求電阻率≥18MΩ.cm，集成電路(DRAM)集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ.cm。針對多晶硅加工工藝需求和當地水源情況，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，純水一號采用國內先進設計理念，確保系統設備產水達到標準。
設備優點
目前制備電子工業用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來?，F將他們的優缺點分別列于右邊：
設備優點
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第一種 采用離子交換樹脂
其優點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換
其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環境還是有一定的破壞性。
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第三種 采用反滲透作預處理
再配上電去離子(EDI)裝置
這是目前制取超純水最經濟，最環保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續制取超純水，對環境沒什么破壞性。其缺點在于初投資相對以上兩種方式稍貴一點。
技術要求
采用膜表面高分子嫁接技術，產水TOC在20PPB以下，更適用電子級超純水系統。 高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達標沖洗時間短、先進配套電源技術，能耗更低。
水質標準
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業用超純水標準》
2、歐盟電子級超純水標準
3、中國電子工業國家標準
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