LED芯片制作流程一般分為兩大部分：
首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用氣相反應物（前驅物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應，將所需的產物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設備。
然后是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨；然后對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統不正常，會導致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。
半導體LED芯片超純水工藝流程
工藝流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+SMB
設備優點
目前制備電子工業用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來?，F將他們的優缺點分別列于右邊：
設備優點
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第一種 采用離子交換樹脂
其優點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換
其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環境還有一定破壞性。
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第三種 采用反滲透作預處理
再配上電去離子(EDI)裝置這是目前制取超純水最經濟，最環保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續制取超純水，對環境沒什么破壞性。
技術要求
半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時，半導體行業對TOC的要求較高。
水質標準
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業用超純水標準》
2、歐盟電子級超純水標準
3、中國電子工業國家標準
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